锑化铟薄膜磁阻式振动传感器

摘要:本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。关键词:InSb-In;共晶体薄膜;磁阻效应;振动传感器 一、引言近些年来,随着科学技术的飞速发展,特别是微电子加工技术,微型计算机技术,信息技术和材料技术的发展,使得综合着各种先进技术的传感器技术进入了一个前所未有的飞速发展阶段。我们应用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件