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高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术

上传者: 2021-02-17 18:23:46上传 PDF文件 26.14KB 热度 12次
INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGE BICMOS工艺技术,该工艺制作了10GHz的锁相环回路(PLL)。这种10GHz的SIGE BICMOS PLL设立了高速低功耗和集成的射频(RF)IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下,这种PLL与传统的SI BICMOS设计相比可将电流缩减50%从而提高射频性能。现在,采用B7HFC技术,制造商可制造高度集成的低功耗RF接收机,从而为便携式设备赢得了更长的通话时间和待机时间。 :
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