2.9微米TmHo:LuAG激光晶体的生长与光谱性能研究

采用提拉法成功生长出了高光学质量的Tm,Ho:LuAG(Lu3Al5O12)激光晶体,对其光谱性能进行了研究。测量了晶体320~3000 nm范围内的吸收光谱,在784 nm附近有较宽的吸收带,半峰全宽约为12 nm。用784 nm半导体激光器(LD)作激发源,测量了晶体2800~3000 nm范围内的稳态荧光光谱,并用光参量振荡(OPO)脉冲激光激发,测量了晶体的瞬态荧光光谱,对数据曲线进行指数衰减拟合,获得了晶体2.9 μm附近波长激光上下能级5I6和5I7的寿命,分别为51 μs和7.5 ms。与Tm,HoYAG(Y3Al5O12)晶体的光谱参数进行了比较,结果表明,Tm,Ho:LuAG