Infineon推出基于巨磁电阻效应的iGMR传感器

Infineon已经开始将这一效应应用于测量汽车转向角度,并成为世界上个开始大批量生产集成巨磁阻抗传感器(iGMR)的半导体供应商。Infineon具有非凡精度的可测量0°到360°的传感器,集成了两个GMR全桥,一个温度传感器,两个A/D转换器,几个稳压器,额外的滤波器和用于持续监测这些器件运行的内部机制。 Infineon的传感器芯片TLE 5010提供了两个数字角度分量:一个正弦函数和一个余弦函数。通过一个SPI接口将传感器连接到八位MCU可以计算一个的角度信号。在传感器和MCU之间传输数字型数据意味着降低了易感性干扰,而且用于补偿的集成温度传感器确保了-40 °C 到 +150 °C