氧化孔径限制垂直腔面发射激光器的电极优化

垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)限制电流流入的方式有许多种, 其中氧化孔径(电流注入孔径)限制法制备工艺简单, 成为普遍选用的方式。模拟结果显示, 对于氧化孔径限制VCSEL,在氧化孔径边缘处电流密度最大。模拟P型电极内环半径对注入孔径电流密度的影响, 结果表明P型电极内环半径越大, 器件氧化孔径边缘的电流密度越大, 对应的器件工作电压越大, 输出光功率越低。综合考虑器件结构的光场分布和发散角分布, 计算器件表面光斑面积, 得到P型电极内环半径的最优值为8 μm。