带有多环耦合结构的环形半导体激光器

为了提高半导体激光器的光谱纯度、亮度和工作稳定性,对多环耦合结构的半导体激光器进行了研究。采用多环耦合与弯曲有源波导共端输出结构,使得环形结构激光器输出在光谱纯度、亮度和工作稳定性方面得到了大幅改善。器件水平远场发散角度为2.7°,输出功率达10 mW,在821 nm处的谱线宽度为0.26 nm,实现Q因子达2737。该多环耦合结构器件具有电流对光谱调制特性,调制范围接近15 nm,同时电流对谱线宽度也有一定的调制作用,调制能力在0.2 nm左右。优化后器件输出的谱线宽度变窄,达到0.2 nm,实现Q因子达4040。