亚波长光栅对微机电系统波长可调谐垂直腔面发射激光器的影响

将增透亚波长光栅分别置于微机电系统 (MEMS)波长可调谐垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的内腔、上分立布拉格反射器(DBR)的上表面和下表面, 分析了其对器件波长调谐范围、驻波场和谐振腔波长的影响。通过建模计算可知, 当亚波长光栅置于MEMS波长可调谐VCSEL的内腔中时, 波长调谐量最大, 可达54 nm; 光栅置于上DBR的上表面和下表面时, 波长调谐量仅能达到40 nm和33 nm。通过分析驻波场可以发现, 当亚波长光栅置于上DBR的上表面时, 有源区能量占总能量的0.36%, 而置于上DBR的下表面和内腔时分别为0.08%和0.02%。比较三种结构的谐振腔波长可以发现, 对于光栅在