Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si 基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si 基光互连的关键器件中,除了Si 基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV 族元素的Ge 具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si 基IV 族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si 基IV 族发光材料和发光器件的最新成果,如Si 衬底上张应变的Ge、Ge 发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si 基IV 族激光器的发展趋势。