PWM 应用中的低电压反馈

就低电压高电流电源应用而言,开关式电源门极驱动要求特别重要。由于几个MOSFET器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求,因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案的方便性就不再是可行的选择。MOSFET并联可降低漏极到源极的导通电阻,并减少传导损耗。但是,随着并联器件的增多,门极充电的要求也迅速提高。由于MOSFET的内部阻抗大大低于驱动级,因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗其形式都表现为控制器集成电路的散热。因此,许多单片解决方案的驱动级由于并联组合的关系都无法有效地驱动更高的门极充电。为了解决该问题,业界近期提供了更多的高级MOSFET驱动器产品。许多新产品都包括大大高于单片解决方案所