纳米图形增强OLED出光效率研究

采用纳米结构是提高有机发光二极管(OLED)出光效率(LEE)的主要方法之一。当纳米结构位于有机层和氧化铟锡(ITO)阳极之间时, 可以起到引导模式的重叠、增强散射、提高OLED出光效率的目的。采用金薄膜退火和湿法刻蚀技术在ITO玻璃片上制备随机分布的纳米图形用于橙光OLED器件, 研究了纳米图形对器件发光性能的影响因素, 同时制作了无纳米图形的标准OLED 器件作为对比。实验结果表明, 当金薄膜厚度为10 nm, 退火温度为570 °C, 退火时间为240 s, 刻蚀深度为30 nm时, 与无纳米图形的OLED相比, 有纳米图形的OLED的亮度提高17%, 电流效率提高34%, 功率效率提高3