基于磁屏蔽的涡流式接近传感器的结构优化研究

基于提高涡流式接近传感器性能的目的,本文采用在铁氧体磁芯的顶部添加帽型磁屏蔽片的方法,使主要的磁通经过铁芯和帽型磁屏蔽片而达到闭合,使磁路得到明显改善。本文从传感特性、磁通分布和涡流损耗等方面对传感器进行定量的电磁描述,经过有限元分析和实验验证,这一结构优化能使传感指数降低7.3%,有效提高接近传感器的性能。