无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源

结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管,提出一种纯MOS结构的基准电压源,其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数。基于SMIC0.13μm的CMOS工艺的仿真结果表明,在温度为-55~90°C的范围内,输出电压的温度系数为5ppm/°C。在室温时,整个电路能在低到0.9V的电源电压下工作并消耗0.68μW的功耗。