Co元素掺杂CrSi2的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2 晶格常数无明显变化,禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2复介电函数虚部在低能方向发生红移,在 小于1.20 eV,大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强。吸收系数的主峰向高能方向移动,峰值增大,在小于1.38 eV,大于3.30 eV的能量范围改善了 CrSi2对红外光子的吸收。光电导率的主峰向高能方向移动,在小于1.16 eV,大于2.36 eV的能量范围内光电导率增强,说明掺杂Co元素后