一种高电源抑制比无片外电容LDO设计

设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比(PSR)无片外电容CMOS低压差线性稳压器(LDO)。基于对全频段电源抑制比的详细分析,提出了一种PSR增强电路模块,使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB;加入串联RC补偿网络,保证了电路的稳定性;在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块,降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真,整个芯片面积为0.028 mm2,仿真结果表明,本文设计的LDO的相位裕度为86.8°,在100 kHz处,PSR为-84.4 dB,输出噪声为8.3