多晶硅太阳电池组件电位诱导衰减效应分析

电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减,使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明,相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06),防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减,衰减幅度在5%以内,具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知,在满足光学薄膜厚度的情况下,制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好地预防PID 现象的发生。