单腔原子芯片系统中高效率的四极磁阱转移

利用两对部分重叠的磁光阱(MOT) 和转移线圈产生的可移动四极磁阱(QMT) 实现了87Rb冷原子从MOT中心向原子芯片的高效率输运。采取了线性增加转移线圈电流、同时保持MOT线圈电流不变的QMT移动方式, 磁阱的移动速度构型为类Blackman型。利用该QMT输运方案, 冷原子从MOT中心转移到原子芯片表面, 转移过程中冷原子温度升高约30μK, 原子转移效率高于90%。该系统可以为原子芯片干涉仪提供合适的冷原子源, 也可以用来研究原子与芯片表面的相互作用。