一种共面波导的统一物理模型

共面波导因其优越的性能,在毫米波电路设计中得到广泛应用。本文提出了一种基于工艺和物理尺寸参数的,综合考虑各种高频寄生效应,针对不同结构共面波导的统一物理模型。该模型包括由R-L阶梯组成的串联部分和由电容、C-R-C支路和C-L-R支路组成的并联部分。基于UMC 65 nm CMOS工艺设计和测试了3种不同结构的共面波导,结果显示所建立的模型仿真得到的S参数和特征参数与测试结果相吻合。