推出60V NMOS DMN6070SFCL

导读:Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出导通电阻小于100mΩ的60V NMOS--DMN6070SFCL. 新器件的占位面积为1.6mm x 1.6mm,高度则是一般的0.5mm,并采用了DFN1616封装,有助于在手机、超薄液晶电视及掌上游戏机等受空间限制的产品内实现更高的功率密度。 全新MOSFET的导通电阻在VGS达到4V时低至74 mΩ,可尽量减少导通损耗及提高整体功率效率。DMN6070SFCL支持2A的连续电流以及10A的脉冲电流,有效应付直流-直流转换尖峰。 这款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列