一种EEPROM中高压产生电路的设计与实现

设计了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路,获得两倍于电源电压的驱动电压,用来驱动高压电荷泵电路得到EEPROM擦写用的15 V高压,实现EEPROM在1.3 V电压下稳定的工作。同时,基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性,提升了存储器在整个工作温度范围(-40 °C~85 °C)内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13 μm Embedded EEPROM CMOS工艺实现,工作电压为1.3 V~1.75 V,面积大小为600 μm×80 μm。