对米勒平台震荡的认识

功率器件的开关过程是一个复杂的过程,无论是MOS还是IGBT,在使用中或多或少都会遇到震荡现象。有一篇论文对此做了一些研究,建议阅读一下。MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf 总结说来: 1在MOS开关过程中,如果栅极电阻较小,发生了栅极电压震荡,多半是因为MOS源极寄生电感太大导致。根据U=L*di/dt,我们可以知道,栅极电阻小,开通速度快,即di/dt大,如果L(寄生电感)也大,在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象,超过米勒平台电压后下降,在米勒平台附近产生栅极电压震荡。 2如果栅极电阻较大,栅极电压升到米勒平台后发生跌落并引起米勒平台附近的震