基于5G通信的硅基IPD滤波器研究与验证

随着5G通信的逐步发展,系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件(IPD)因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容,而被广泛应用于系统级封装(SIP)。为提高电容密度,增大电感品质因数,提高整体滤波器的性能,结合硅基薄膜技术、半加成工艺分别制备电容、电感,设计了基于5G通信的双零点电容耦合带通滤波器。该滤波器具有低成本、小尺寸(1.1 mm*0.68 mm)、低带内插损(-1.87 dB@4.75 GHz)和较好的带外抑制(零点位置:-48.5 dB@2.5 GHz和-34 dB@7.7 GHz)等优点。为提高电感Q值,提高电容密度,实现低成本及小型化,制造高性