DRAM的电容器的设计

因为电容器的容量不能无限小,所以既要进行小型化处理又要保持其容量是DRAM高集成化的重点。基本电介质的介电常数为ε,电极面积为S,电极间距离为歹,假设电容器的容量为C,则: C=ε×S÷d 成立,因此,为了增大电容器的容量,需要增大ε值(使用介电常数较大的绝缘体)、减小d值(使电极间的电介质层尽可能薄)或者增大S值(扩大电极面积)。 介电常数是根据材料确定的,当初曾使用过5102氧化膜,从1M位的DRAM时代开始,使用称为NO(Si3N4ˉSiO2)的氮化膜。之后曾经专门在扩大电极面积S的方向上发展过,因为逐渐达到其界限,继而又向使用高介电常数的材料上发展,利用了Ta2O5