MM3Z9V1T1G的技术参数

产品型号:MM3Z9V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大功率PMax(W):0.200芯片标识:0K封装/温度(°C):SOD323/-65~150价格/1片(套):¥.25