功率MOS管的五种损坏模式详解

种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 第二种:器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。 直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热 ●导通电阻RDS(on)损耗(