背处理

在许多情况下,只是晶圆的正面经过充分的化学机械抛光。背面留下从粗糙或腐蚀到光亮的外观。对于某些器件的使用,背面可能会受到特殊的处理导致晶体缺陷,叫做背损伤。背损伤产生位错的生长辐射进入晶圆,这些位错起象是陷阱,俘获在制造工艺中引入的可移动金属离子污染。这个俘获现象又叫做吸杂(图3.22)。背面喷沙是一种标准的技术,其它的方法包括背面多晶层或氮化硅的淀积。