额定电流超过2000A 的下一代3300V BIGT HiPak模块

本文阐述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(BimodeInsulatedGateTransistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块,给出了静态、动态特性的测试结果以及相关参数,这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。