瑞萨科技与松下合作开发片上SRAM制造技术

瑞萨科技与松下电器产业有限公司宣布,共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512Kb SRAM的实验芯片的测试已经得到证实,可以在宽泛的温度条件下(-40度-125度)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。采用45nm CMOS工艺生产的用于实验的SRAM芯片集成了两种不同的存储单元设计,一个元件面积仅有0.327μm2,另一个的元件面积为0.245μm2--这是最小的水平。更小的存储单元是利用减少处理尺寸裕量实现的。 这一技术进展的细