TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计

引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时,首先是如何提高晶体管的反压,降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大,集电区体电阻上的电压降会增大,从而使饱和压降增大到不允许的程度。而减小NC又会使空间电荷限制效应发生,从而造成大电流β的急剧下降。为解决上述矛盾,设计时一般采用外延结构。 事实上,TIP41C低频大功率平面晶体管在设计上应采用深扩散、厚基区、大面积宽电极等结构,管芯的纵向尺寸应比较厚,横向尺寸应比较宽。控制管芯面积在2×2 mm2左右时,可采用覆盖式结构设计光刻版图,这样就能尽可能增加发射区周长,满