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MMBZ12VALT1的技术参数

上传者: 2020-12-17 18:54:37上传 PDF文件 24KB 热度 5次
产品型号:MMBZ12VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(°C):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):¥.40
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