RFID技术中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K

飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 该晶体管的操作电压为50V,与双极和MOSFET设备相比,它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以高功率水平实现高增益,这大大减少了所需的部件数量,与传统设计相比,部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少,使主板空间要求和制造复杂性随之降低,最终使放大器成本全面降低。