硅氧化成二氧化硅工艺是集成电路工艺的又一个重要的工艺步骤。氧化工艺之所以重要是因为在集成电路的选择掺杂工艺中,二氧化硅层是掺杂的主要屏蔽层,同时由于二氧化硅是绝缘体,所以,它又是引线与衬底,引线与引线之间的绝缘层。 氧化工艺是将硅片置于通有氧气气氛的高温环境内,通过到达硅表面的氧原子与硅的作用形成二氧化硅。改进的氧化炉 在表面已有了二氧化硅后,由于这层已生成的二氧化硅对氧的阻碍,氧化的速度是逐渐降低的。由于硅和二氧化硅的晶格尺寸的差异,每生长1μm的二氧化硅,约需消耗0.44μm的硅。 氧化工艺是一种热处理工艺。在集成电路制造技术中,
