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NTP52N10G的技术参数

上传者: 2020-12-13 13:56:54上传 PDF文件 25.85KB 热度 7次
产品型号:NTP52N10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55 ~150描述:60 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):¥18.40
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