模拟技术中的IGCT及IGCT变频器

IGCT及IGCT变频器 李洪剑,王志强,余世科 (705研究所昆明分部,云南 昆明 650118) 1 引言 大功率晶闸管(SCR)在过去相当一段时间里,几乎是能够承受高电压和大电流的唯一半导体器件。因此,针对SCR的不足,人们又研制开发出了门极关断晶闸管(GTO)。用GTO晶闸管作为逆变器件取得了较为满意的结果,但其关断控制较易失败,仍较复杂,工