工艺模型验证

(1) 简单模型验证 把中间的二氧化硅换成硅,就得到图3.8的简化模型。杂质的扩散系数为D,可以得出[13]: 取D1=D2=D3=D,m=1,对方程(3.47)、(3.4)、(3.57)进行化简,在三个区域中得到一个统一的方程式: 图3.8 简化模型 (2) 杂质流密度和总量验证 界面处进入硅中的流密度为: 与方程(3.50)比较,二者相等,所以流过界面的流密度相等。 通过Si/SiO2界面进入SiO2和Si中的杂质总量为 其中: 把方程(3.62)代入方程(3.6