NTLJD2105LTBG的技术参数

产品型号:NTLJD2105LTBG源漏极间雪崩电压VBR(V):-8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):4.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):WDFN6/-55 ~150描述:4.3A, 8V功率MOSFET价格/1片(套):暂无