扩散的一些效应分析

扩散的过程有很多限制。扩散只能在wafer表面进行,限制了能制造的几何图案。杂质扩散不均衡,所以最终的diffusion没有稳定的掺杂特性。接下来的高温过程继续drive先前沉积的杂质,所以在这个过程中太早形成的结在后面的步骤里被driven的更深了。杂质扩散到氧化层窗口边缘以下,扩大了diffusion的图案。由于隔离机制,diffusion和氧化互相作用,结果形成耗尽区或加强表面掺杂程度。Diffusion之间甚至相互作用,因为一种掺杂的存在会影响其他的扩散速度。这些和其他复杂的因素使扩散过程远比它起初看起来的复杂的多。 扩散只能产生相对浅的结。实际的drive时间和温度把结深度限制在