半导体硅片SC 2清洗技术

1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生,在酸性溶液中不易发生,并具有较强的去除晶片表面金属的能力,但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属,而晶片表面形成的自然氧化膜的附着(特别是Al)问题还未解决。2 硅片表面经SC-2液洗后,表面Si大部分以 O 键为终端结构,形成一层自然氧化膜,呈亲水性。3 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀,因此不能达到去除粒子的效果。a.实验表明: 据报道将经过SC-2液,洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用DHF液洗为1014 原子/cm2,用HF+H2O2洗后为1010 原子/cm2。即说明用HF+H2