MJD112 1G的技术参数

产品型号:MJD112-1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):12000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):25总功耗PD(W):20封装/温度(°C):3DPAK/-65~150价格/1片(套):暂无