n Si和p Si体内迁移率

n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半,并且与晶向有关。 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)晶向的单晶做衬底. 静态功耗的三种成因2动态(Dynamic)功耗 动态功耗Ps由三部分组成:A、电路逻辑操作所引起的状态改变所需功耗;B、P管与N管阈值电压重叠所产生的导通电流所需功耗;C、不同路径的时间延迟不同所产生的竞争冒险所需功耗。