高功率870nm和940nm红外线发射器

Avago Technologies推出一系列采用5mm(T-1 3/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR, Infrared) LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs) LED技术,具有优异的高发光强度、高速率和低正向电压等特性。HSDL-4250和HSDL-4251的峰值为870nm,在20mA电流下的正向电压仅为1.4V,光学反应升降的时间为40ns。在100mA正向电流时,HSDL-4250的轴线发光强度为180 mW/sr,可视角为15度;而 HSDL-4251的可视角为30度,100mA正向电流时,其发光强度为100 mW/s