电子测量中的晶体硅中缺陷和沉淀的红外扫描仪研究

(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027)摘 要:晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。通过红外扫描仪观察晶体硅中的晶界、位错和不同金属沉淀的分布和形貌,并分析其相关信息。与传统研究手段相比,红外扫描仪不仅可以直接观察到体内的缺陷或沉淀,而且不会破坏样品。 关键词:硅,红外扫描仪,缺陷,沉淀 中图分类号:TN16;TN 4 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)07-0018-031 前言 随着超大规模集成电路的发展,对微电子用单晶硅中微缺陷和杂质的要求也越来越高,亚微米级的杂质或缺陷都会对集成电路的性能产生重大影响。在这方面过渡族金属杂质的危害就显得