PCB技术中的Infineon用锗化硅和碳双极工艺开发高频集成电路

计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布,在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe:C)的双极工艺,开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件,工作频率高出10%至30%。 Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术,设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件,其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infineno公司称,用该器件制作的电路经测试,其工作噪声极低,并以良好的晶体管平衡性,适用于数字或模拟两用电