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NTD25P03LT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 02:46:19上传 PDF文件 26.04KB 热度 16次
产品型号:NTD25P03LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):72最大漏极电流Id(on)(A):25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:-25 A, -30 V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.50
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