MMBZ5235BLT1G的技术参数

产品型号:MMBZ5235BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):5最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8K封装/温度(°C):3SOT-23/-65~150价格/1片(套):¥.25