热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究

刘少波1,李艳秋1,刘梅冬2(1.中国科学院电工研究所微纳加工部,北京 100080;2.华中科技大学电子科学与技术系,湖北 武汉 430074)摘要:采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)技术,在Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si基片上研制出具有优良热释电性能的BST,PLT和PZT铁电薄膜,它们是制备单片式非致冷红外焦平面阵列的优选深测材料。解决了制备热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的关键技术,成功研制出8元、9元、10元线列和8×8元阵列,器件电压响应率(RV)达8.6×103V/W。 中图分类号:TN304.9;TN21文献标识码:A文章编号:1671-4776(20