交互氧化物交互氮化物和保护层

交互氧化物,交互氮化物和保护层 图2.29显示了一个典型的现代金属系统的截面图。硅上的第一层物质是热生长氧化物。在这层氧化物上面的是多晶硅层,它最终会形成MOS晶体管的gate。在这层多晶层上的是叫做multilevel oxide(MLO)的一薄层沉积的氧化物层,它能隔离多晶并加厚热生长氧化物层。穿过MLO和热生长氧化物层蚀刻的是contact opening,它能接触silicon,也穿过MLO来接触多晶。跟着reflow后,contact opening被硅化来降低接触电阻。在MLO上的是第一层金属,主要是一薄层refractory barrier metal和一层厚的多的铜掺杂铝