赛普拉斯推出采用0.13微米SONOS制程生产的4 Mbit nvSRAM产品

赛普拉斯半导体公司(纽约交易所代码:CY)于近日推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器(nvSRAM)产品。这款新器件产品的特色包括15 ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环、以及20年的数据保留期,十分适用于那些要求连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全性的应用,包括RAID应用、严苛的环境下的工业控制设备以及汽车、医疗和数据通信系统内的数据记录功能。 nvSRAM可作为快速非易失性存储器的最佳替代产品。与需要备用电池的SRAM相比,nvSRAM能够减少板卡占用空间并简化设计,而且其经济性和可靠性都要优于磁性存储器(MRAM)或铁电存储器(FRAM)。这款新产品是赛普拉