日立与瑞萨合作开低功耗高速相变存储模块

日立与瑞萨科技开发出运行于1.5V电源电压的512KB(相当于4Mb)相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA(Micro安培)写入操作电流的"低功耗相变存储单元",两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 相变存储器是一种非易失性存储器,它是利用电流产生的焦耳热量形成的一种双相变的薄膜电阻-- 一种是非晶态(高阻值),另一种是晶态(低阻值)。利用这种电阻的"1"和"0"信息的差异,即可执行存储和读出操作。日立和瑞萨科技以前开发过一种低功耗操作相变存储器,它在界面层使用了五氧化钽,可以利用1.5V电源电压和100μ