RAMTRON的4兆位非易失性F RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖

RAMTRON宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器,获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。 Ramtron亚太区域总监徐梦岚称:“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同,我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破,将引领Ramtron与F-RAM进入新的创新应用中。中国设计工程师对FM22L16所作的投票,足以证明该产品的技术成果已获得公认