NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术

NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发,使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细,被称为45nm的下一代产品。此次,NEC电子推出的工艺中,一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺,它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz,同时保持低功耗;另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺,它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。 UX8GD和 UX8LD 是在线宽从55nm缩小至40nm的CMOS工艺技术的基础上结合了NEC电子原有的eDRAM混载工艺技术而成, 它成功地将DRA